國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局信息顯示，大慶溢泰半導(dǎo)體材料有限公司取得一項(xiàng)名為“一種用于大直徑銻化鎵晶體生長(zhǎng)覆蓋劑除雜裝置”的專利，授權(quán)公告號(hào)CN 221956234 U，申請(qǐng)日期為2024年2月。

專利摘要顯示，一種用于大直徑銻化鎵晶體生長(zhǎng)覆蓋劑除雜裝置，涉及晶體生長(zhǎng)除雜技術(shù)領(lǐng)域，包括能夠起到提升和旋轉(zhuǎn)作用的機(jī)械臂和石英刮盤(pán)，石英刮盤(pán)安裝在機(jī)械臂的下端，石英刮盤(pán)至少包括一塊扇形的石英板，石英板的兩側(cè)在厚度方向上均帶有用于收集覆蓋劑雜質(zhì)的斜面，兩個(gè)斜面構(gòu)成的夾角的頂點(diǎn)位于石英板的上方，石英板的中部帶有用于盛放覆蓋劑雜質(zhì)的凹槽；在石英板的徑向上，凹槽的底面呈斜面，斜面的高點(diǎn)位于石英板的外緣一側(cè)，斜面的低點(diǎn)位于石英板的中心一側(cè)；所述的凹槽為扇形結(jié)構(gòu)，凹槽的扇形角等于石英板的扇形角。本實(shí)用新型能夠通過(guò)石英刮盤(pán)的轉(zhuǎn)動(dòng)刮走液面薄層難溶浮渣，可保證純度比較高的覆蓋劑投入晶體生長(zhǎng)中，從而提高單晶成品率。

(關(guān)鍵字：銻化鎵)